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Samsung annuncia le memorie NAND flash 64 Gbit a 20 nanometri

Samsung memorie da 64 gigabyte con tecnologia a venti nanometriSamsung ha reso noto di aver avviato la produzione delle prime unità memoria NAND flash a 3 bit con tecnologia a 20 manometri e capacità di archiviazione dati pari a 64 gigabyte.
Ad aprile l’azienda aveva annunciato l’inizio della produzione delle celle di memoria NAND flash da 32 gigabyte, basate sulla tecnologia a 20 manometri.


Le nuove memorie fanno integrano la tecnologia Toogle Ddr e, sostiene Samsung,  migliorano del 60 per cento la produttività rispetto a quelle da 32 gigabyte a 30 nanometri.

Posted by on Ott 14 2010. Filed under Computer e Tablet, Ultime notizie. You can follow any responses to this entry through the RSS 2.0. You can leave a response or trackback to this entry

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